高鼎三，上海人。半導(dǎo)體物理學(xué)家，我國(guó)半導(dǎo)體科學(xué)事業(yè)開(kāi)創(chuàng)者之一，1941年畢業(yè)于西南聯(lián)大物理系，1947年赴美國(guó)加利福尼亞大學(xué)攻讀研究生，1953年任美國(guó)國(guó)際整流器公司研究員，1955年回國(guó)來(lái)吉林大學(xué)物理系任教。1959年領(lǐng)導(dǎo)創(chuàng)建了當(dāng)時(shí)國(guó)內(nèi)唯一的半導(dǎo)體系，擔(dān)任系主任工作。1977年晉升為教授。曾任吉林大學(xué)物理系副主任、電子工程系（原半導(dǎo)體系）系主任、電子工程系名譽(yù)系主任、集成光電子學(xué)國(guó)家重點(diǎn)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室學(xué)術(shù)委員會(huì)主任、集成光電子學(xué)國(guó)家重點(diǎn)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室學(xué)術(shù)委員會(huì)主任。
在國(guó)內(nèi)首先研制成鍺大功率整流器，而后又研制成鍺點(diǎn)接觸二極、鍺三極管及鍺光電二極管；較早地開(kāi)展了熱敏電阻、隧道二極管的研究。60年代又開(kāi)展GaAs激光器、大功率晶閘管的研制工作，使同質(zhì)結(jié)激光器實(shí)現(xiàn)激射；1976年主持研制的“室溫連續(xù)工作的Zn擴(kuò)散GaAs平面條形雙異質(zhì)結(jié)激光器”獲得成功。近10年來(lái)，在半導(dǎo)體激光器及器件結(jié)構(gòu)制備領(lǐng)域，電力電子半導(dǎo)體器件領(lǐng)域、半導(dǎo)體激光器失效機(jī)理及可靠性和測(cè)量技術(shù)領(lǐng)域、快速光電子學(xué)領(lǐng)域，多次承擔(dān)重要研究課題，并取得很大成績(jī)。代表性論著有學(xué)術(shù)論文100余篇，以及受教育部委托篇寫(xiě)的《晶體管原理》一書(shū)。
1995年當(dāng)選為中國(guó)工程院院士。
2002年6月病逝。
